第十一章 被迫装逼

师解释，反正坐一会也不会死，还是不解释的好，不然很有可能说不清楚。

    看到乐远坐了回去，老教师又问道：“那你们有谁知道，这三个阶段具体是什么？”

    这下他说完，再没有一个人举手了，老教师看到这种情况，笑着鼓励道：“没事，能说多少就说多少，哪怕说的不对也没关系。”

    可是即便他这样说，还是依旧没有人举手，老教师皱了皱眉头道：“刚才那个同学，你站起来回答一下。”

    乐远看老头看过来，差点没有骂出来，howoldareme！为什么老是我！

    但他也只能老老实实回答，因为相对于解释自己的来历，这个问题要更简单一些。

    他站了起来，看着前排的人，不管男女都转头看他，大部分人都带着好奇的目光，当然也有几个是幸灾乐祸的。

    乐远捋了捋根本不存在的袖子，侃侃而谈起来：“器件的种类繁多，具体要求各异，但总的说来，可分为杂质工程、缺陷工程、能带工程三个阶段。所谓杂质工程是控制材料中的杂质以实现器件的功能。半导体材料的杂质中有有害的一面和有利的一面。”

    他一开口就是专业术语，听起来有板有眼的，除了老教师一边听一边点头，其他人都是一脸的不明觉厉。

    “为此，首先进行超提纯以提高材料的总体纯度。然后掺入所需的杂质以形成导电类型、电阻率、p—n结、发光能级与中心、半导体和金属间的欧姆接触等。缺陷工程是消除缺陷和有意引入缺陷以实现器件功能。

    半导体材料中的缺陷在大多数的情况下都是有害的，因此半导体材料制备的重点是放在半导体晶体生长方面，其目的之一是消除材料中的晶体缺陷，包括晶界、位错、微缺陷等，并在加工过程中防止引入二次缺陷。”

    说着说着，乐远又想起了从前上学还有在研究所的日子，反而更来劲了。

    “利用缺陷的作用的例子是硅的晶片吸34除和利用深能级制备半绝缘砷化镓单晶。能带工程是按设计的能带结构以制备薄膜与器件。这包括半导体异质结、量子阱、半导体超晶格，后二者要求材料制备成达到原子级的精度的微结构。以上对杂质、缺陷、能带结构的控制均属材料的内在质量，此外半导体材料是以一定的几何形状提供给器件制备过程。”

    说到这里，乐远已经基本上把三个阶段说清楚了，但是他还是继续说道：“为了满足上述要求，在制备工艺又要分为：材料超提纯，半导体晶体生长……”

    老教师之前一直在认真听他说话，忽然听到制备工艺都要出来了，赶忙打断道：“好好好！说到这里就行了，再说下去，就不是这本书上面的了。”

    而其他人，也都已经目瞪口呆，看着乐远，那眼神就跟看到外星人似的。特别是之前幸灾乐祸的那几个人，这个时候也是一万只艹泥马从心中奔腾而过。

    乐远微微一笑：“您老满意么？”